Зображення обкладинки

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния

Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2009
Автори:	Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Forsh, P. A., та інші
Опубліковано: (2009)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2013)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Кудрик, Я.Я.
Опубліковано: (2009)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2011)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Модель линии передачи для наноэлектроники
за авторством: Нелин, Е.А.
Опубліковано: (2009)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)