Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
Обнаружено, что термическое окисление оказывает различное влияние на проводимость слоев пористого кремния, измеряемую вдоль различных кристаллографических направлений, что можно объяснить наличием потенциальных барьеров на границах связанных кремниевых нанокристаллов....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | Форш, П.А., Форш, Е.А., Мартышов, М.Н., Тимошенко, В.Ю., Кашкаров, П.К. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52328 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния / П.А Форш., Е.А. Форш, М.Н. Мартышов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
von: Максименко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Максименко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)
Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)
Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)
Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Ähnliche Einträge
-
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005) -
Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)