Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
Обнаружено два режима извлечения ионов: пучковый и плазменный, переход между которыми происходит при некотором критическом потенциале плазмы в источнике.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | Дудин, С.В., Рафальский, Д.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52330 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы / С.В. Дудин, Д.В. Рафальский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 42-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Dudin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)