Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей

Выбраны оптимальные режимы плазмохимического травления торцов пластин в реакторе, разработанном в ИЯИ, который по производительности превосходит лучший зарубежный аналог при более высоком качестве обработки пластин....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2009
Автори: Федорович, О.А., Кругленко, М.П., Полозов, Б.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52331
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей / О.А. Федорович, М.П. Кругленко, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52331
record_format dspace
spelling Федорович, О.А.
Кругленко, М.П.
Полозов, Б.П.
2013-12-29T22:21:48Z
2013-12-29T22:21:48Z
2009
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей / О.А. Федорович, М.П. Кругленко, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52331
Выбраны оптимальные режимы плазмохимического травления торцов пластин в реакторе, разработанном в ИЯИ, который по производительности превосходит лучший зарубежный аналог при более высоком качестве обработки пластин.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
Особливості плазмохімічного травлення торців кремнієвих пластин для фотоелектричних перетворювачів
Peculiarity of plasmachemical etching of silicon plate edges of photoelectric converters
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
spellingShingle Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
Федорович, О.А.
Кругленко, М.П.
Полозов, Б.П.
Технологические процессы и оборудование
title_short Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
title_full Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
title_fullStr Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
title_full_unstemmed Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
title_sort особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
author Федорович, О.А.
Кругленко, М.П.
Полозов, Б.П.
author_facet Федорович, О.А.
Кругленко, М.П.
Полозов, Б.П.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2009
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Особливості плазмохімічного травлення торців кремнієвих пластин для фотоелектричних перетворювачів
Peculiarity of plasmachemical etching of silicon plate edges of photoelectric converters
description Выбраны оптимальные режимы плазмохимического травления торцов пластин в реакторе, разработанном в ИЯИ, который по производительности превосходит лучший зарубежный аналог при более высоком качестве обработки пластин.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52331
citation_txt Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей / О.А. Федорович, М.П. Кругленко, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT fedorovičoa osobennostiplazmohimičeskogotravleniâtorcovkremnievyhplastindlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei
AT kruglenkomp osobennostiplazmohimičeskogotravleniâtorcovkremnievyhplastindlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei
AT polozovbp osobennostiplazmohimičeskogotravleniâtorcovkremnievyhplastindlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei
AT fedorovičoa osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâtorcívkremníêvihplastindlâfotoelektričnihperetvorûvačív
AT kruglenkomp osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâtorcívkremníêvihplastindlâfotoelektričnihperetvorûvačív
AT polozovbp osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâtorcívkremníêvihplastindlâfotoelektričnihperetvorûvačív
AT fedorovičoa peculiarityofplasmachemicaletchingofsiliconplateedgesofphotoelectricconverters
AT kruglenkomp peculiarityofplasmachemicaletchingofsiliconplateedgesofphotoelectricconverters
AT polozovbp peculiarityofplasmachemicaletchingofsiliconplateedgesofphotoelectricconverters
first_indexed 2025-12-07T16:17:39Z
last_indexed 2025-12-07T16:17:39Z
_version_ 1850866935852433408