Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста
Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2009 |
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862553193215426560 |
|---|---|
| author | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| author_facet | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
| citation_txt | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ.
|
| first_indexed | 2025-11-25T21:05:32Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52332 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-25T21:05:32Z |
| publishDate | 2009 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. 2013-12-29T22:28:06Z 2013-12-29T22:28:06Z 2009 Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332 Определена область оптимальных соотношений потоков PH₃/SiH₄ и температуры осаждения, обеспечивающих приемлемую скорость и однородность осаждения, высокий уровень легирования и конформное заполнение топологического рельефа пленками ПКЛФ. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы электроники Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста Адсорбційно-кінетична модель осаджування плівок полікристалічного кремнію, легованих фосфором в процесі зростання The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. Article published earlier |
| spellingShingle | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Материалы электроники |
| title | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| title_alt | Адсорбційно-кінетична модель осаджування плівок полікристалічного кремнію, легованих фосфором в процесі зростання The adsorptive-kinetic model of in-situ phosphorus doped film polysilicon deposition process Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 50-55. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. |
| title_full | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| title_fullStr | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| title_full_unstemmed | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| title_short | Адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| title_sort | адсорбционно-кинетическая модель осаждения пленок поликристаллического кремния, легированных фосфором в процессе роста |
| topic | Материалы электроники |
| topic_facet | Материалы электроники |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52332 |
| work_keys_str_mv | AT nalivaikooû adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta AT turcevičas adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserosta AT nalivaikooû adsorbcíinokínetičnamodelʹosadžuvannâplívokpolíkristalíčnogokremníûlegovanihfosforomvprocesízrostannâ AT turcevičas adsorbcíinokínetičnamodelʹosadžuvannâplívokpolíkristalíčnogokremníûlegovanihfosforomvprocesízrostannâ AT nalivaikooû theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess AT turcevičas theadsorptivekineticmodelofinsituphosphorusdopedfilmpolysilicondepositionprocess AT nalivaikooû adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserostaoûnalivaikoasturcevičtehnologiâikonstruirovanievélektronnoiapparature20096s5055bíblíogr7nazvros AT turcevičas adsorbcionnokinetičeskaâmodelʹosaždeniâplenokpolikristalličeskogokremniâlegirovannyhfosforomvprocesserostaoûnalivaikoasturcevičtehnologiâikonstruirovanievélektronnoiapparature20096s5055bíblíogr7nazvros |