Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52389 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52389 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Саидова, Р.А. Гиясова, Ф.А. 2013-12-30T22:57:34Z 2013-12-30T22:57:34Z 2008 Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52389 Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта Аномальний фотовольтаїчний ефект у структурі з бар'єром Шотткі-Мотта Abnormal photovoltaic effect in structure with a barrier Shottky-Mott's Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта |
| spellingShingle |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Саидова, Р.А. Гиясова, Ф.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта |
| title_full |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта |
| title_fullStr |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта |
| title_full_unstemmed |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта |
| title_sort |
аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером шоттки–мотта |
| author |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Саидова, Р.А. Гиясова, Ф.А. |
| author_facet |
Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Саидова, Р.А. Гиясова, Ф.А. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Аномальний фотовольтаїчний ефект у структурі з бар'єром Шотткі-Мотта Abnormal photovoltaic effect in structure with a barrier Shottky-Mott's |
| description |
Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52389 |
| citation_txt |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT karimovav anomalʹnyifotovolʹtaičeskiiéffektvstrukturesbarʹeromšottkimotta AT edgorovadm anomalʹnyifotovolʹtaičeskiiéffektvstrukturesbarʹeromšottkimotta AT saidovara anomalʹnyifotovolʹtaičeskiiéffektvstrukturesbarʹeromšottkimotta AT giâsovafa anomalʹnyifotovolʹtaičeskiiéffektvstrukturesbarʹeromšottkimotta AT karimovav anomalʹniifotovolʹtaíčniiefektustrukturízbarêromšottkímotta AT edgorovadm anomalʹniifotovolʹtaíčniiefektustrukturízbarêromšottkímotta AT saidovara anomalʹniifotovolʹtaíčniiefektustrukturízbarêromšottkímotta AT giâsovafa anomalʹniifotovolʹtaíčniiefektustrukturízbarêromšottkímotta AT karimovav abnormalphotovoltaiceffectinstructurewithabarriershottkymotts AT edgorovadm abnormalphotovoltaiceffectinstructurewithabarriershottkymotts AT saidovara abnormalphotovoltaiceffectinstructurewithabarriershottkymotts AT giâsovafa abnormalphotovoltaiceffectinstructurewithabarriershottkymotts |
| first_indexed |
2025-12-07T18:28:25Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:28:25Z |
| _version_ |
1850875162578124800 |