Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Саидова, Р.А., Гиясова, Ф.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52389
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем....