Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| ISSN: | 2225-5818 |
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52391 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862728894548803584 |
|---|---|
| author | Турцевич, А.С. |
| author_facet | Турцевич, А.С. |
| citation_txt | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:11:22Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52391 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:11:22Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Турцевич, А.С. 2013-12-30T23:07:45Z 2013-12-30T23:07:45Z 2008 Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52391 Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Технологические процессы и оборудование Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов Отримання напівізолюючого кремнію для високовольтних приладів Growing of semiinsulating Si tor high-voltage devices Article published earlier |
| spellingShingle | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов Турцевич, А.С. Технологические процессы и оборудование |
| title | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_alt | Отримання напівізолюючого кремнію для високовольтних приладів Growing of semiinsulating Si tor high-voltage devices |
| title_full | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_fullStr | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_full_unstemmed | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_short | Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| title_sort | получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов |
| topic | Технологические процессы и оборудование |
| topic_facet | Технологические процессы и оборудование |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52391 |
| work_keys_str_mv | AT turcevičas polučeniepoluizoliruûŝegokremniâdlâvysokovolʹtnyhpriborov AT turcevičas otrimannânapívízolûûčogokremníûdlâvisokovolʹtnihpriladív AT turcevičas growingofsemiinsulatingsitorhighvoltagedevices |