Buchumschlag

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов

Исследовано влияние условий осаждения на структуру и электрофизические свойства пленок поликристаллического кремния, легированного кислородом. Результаты использованы при изготовлении изделий силовой электроники....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
1. Verfasser:	Турцевич, А.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52391
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов / А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 35-41. — Бібліогр.: 23 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Кудрик, Я.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
von: Щербань, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
von: Ткачук, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Установка для экспресс-контроля глубины охлаждения термоэлектрических микромодулей Пельтье
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
von: Федорович, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фрезеровально-гравировальные плоттеры для изготовления печатных плат
von: Кудрявцев, Е.М.
Veröffentlicht: (2005)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)