Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния

Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2008
Автори: Иванчиков, А.Э., Кисель, А.М., Медведева, А.Б., Плебанович, В.И.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Теми:
Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52392
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52392
record_format dspace
spelling Иванчиков, А.Э.
Кисель, А.М.
Медведева, А.Б.
Плебанович, В.И.
2013-12-30T23:11:32Z
2013-12-30T23:11:32Z
2008
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52392
Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
Методи видалення дефектів, що виникають при рідинному травленні поверхні полікристалічного кремнію
Methods of removal of defects arising at liquid etching of polycrystalline silicon
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
spellingShingle Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
Иванчиков, А.Э.
Кисель, А.М.
Медведева, А.Б.
Плебанович, В.И.
Технологические процессы и оборудование
title_short Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
title_full Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
title_fullStr Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
title_full_unstemmed Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
title_sort методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
author Иванчиков, А.Э.
Кисель, А.М.
Медведева, А.Б.
Плебанович, В.И.
author_facet Иванчиков, А.Э.
Кисель, А.М.
Медведева, А.Б.
Плебанович, В.И.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2008
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Методи видалення дефектів, що виникають при рідинному травленні поверхні полікристалічного кремнію
Methods of removal of defects arising at liquid etching of polycrystalline silicon
description Рассмотрены модель возникновения дефектов на поверхности поликристаллического кремния при обработке полупроводниковых пластин в травителе, а так-же модель удаления этих дефектов в растворах химикатов.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52392
citation_txt Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния / А.Э. Иванчиков, А.М. Кисель, А.Б. Медведева, В.И. Плебанович // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 42-47. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT ivančikovaé metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ
AT kiselʹam metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ
AT medvedevaab metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ
AT plebanovičvi metodyudaleniâdefektovvoznikaûŝihprižidkostnomtravleniipoverhnostipolikristalličeskogokremniâ
AT ivančikovaé metodividalennâdefektívŝovinikaûtʹprirídinnomutravlennípoverhnípolíkristalíčnogokremníû
AT kiselʹam metodividalennâdefektívŝovinikaûtʹprirídinnomutravlennípoverhnípolíkristalíčnogokremníû
AT medvedevaab metodividalennâdefektívŝovinikaûtʹprirídinnomutravlennípoverhnípolíkristalíčnogokremníû
AT plebanovičvi metodividalennâdefektívŝovinikaûtʹprirídinnomutravlennípoverhnípolíkristalíčnogokremníû
AT ivančikovaé methodsofremovalofdefectsarisingatliquidetchingofpolycrystallinesilicon
AT kiselʹam methodsofremovalofdefectsarisingatliquidetchingofpolycrystallinesilicon
AT medvedevaab methodsofremovalofdefectsarisingatliquidetchingofpolycrystallinesilicon
AT plebanovičvi methodsofremovalofdefectsarisingatliquidetchingofpolycrystallinesilicon
first_indexed 2025-12-01T21:09:02Z
last_indexed 2025-12-01T21:09:02Z
_version_ 1850860975100526592

Схожі ресурси