Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем

• Datum: 2008
• 1. Verfasser: Шангереева, Б.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Schriftenreihe: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Schlagworte: Технологические процессы и оборудование
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52394
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем / Б.А. Шангереева // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 54-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Полученные оптимальные технологические режимы процесса диффузии фосфора с применением твердого планарного источника позволяют получать транзисторы с улучшенными электрофизическими характеристиками....