Buchumschlag

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона

Показана возможность создания матричных фотоприемных устройств на алмазе. На примере линейчатых фотоприемных устройств разработаны принципы и технология построения....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Алтухов, А.А., Митягин, А.Ю., Клочкова, А.М., Орлова, Г.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Новые компоненты для электронной аппаратуры
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52418
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона / А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, А.М. Клочкова, Г.А. Орлова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Алмазные многоэлементные фотоприемные устройства УФ-диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Афанасьев, М.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Дискретные фотоприемники средневолнового ИК-диапазона спектра на основе HgCdTe
von: Цибрий, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Контактные системы на основе тугоплавких металлов в диодах миллиметрового диапазона
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Индуктивность, перестраиваемая электрическим полем
von: Семёнов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Массивы нанопроводов из антимонида индия для перспективных термоэлектрических устройств
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Реальная и предельная чувствительность некоторых приемников излучения ТГц/суб-ТГц-диапазонов
von: Шевчик-Шекера, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Матричные кремниевые микрокатоды для автоэмиссионных дисплеев
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Первичные источники тока Li/Cu₄Bi₅S₁₀
von: Дудяк, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Малогабаритные высокоинформативные холестерические дисплеи с памятью
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Часть 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Моделирование электротоковых микрореле
von: Мухуров, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Electrical connectors for surface solderless mounting
von: Yefimenko, A.A.
Veröffentlicht: (2012)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Фотоконденсатор на основе нанокомпозита n-InSe<RbNO₃>
von: Нетяга, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Deformation-induced effects in indium antimonide microstructures at cryogenic temperatures for sensor applications
von: Druzhinin, A.O., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Метод "прозрачной стенки'' для контроля лучистых потоков различной мощности
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Координатно-чувствительный анизотропный датчик лазерного излучения
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Варикап на основе сверхрезкого p—n-перехода
von: Головяшкин, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Полупроводниковые матричные оптические модуляторы
von: Курмашов, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Функционально интегрированный магнитометрический преобразователь
von: Большакова, И.А., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Влияние радиационного облучения на характеристики солнечных элементов из поликристаллического кремния
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Оптимизация надежности кремниевых p-i-n-фотодиодов по темновому току
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Метод компенсации действия радиации на магнитоуправляемые микросхемы
von: Викулина, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Газочувствительные и светочувствительные варикапы для датчиков
von: Негоденко, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Магниточувствительные транзисторы
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Новые подложки для алмазоподобных пленочных элементов электроники
von: Завьялов, С.В.
Veröffentlicht: (2000)

Схемное решение термостабилизации выходного сигнала полупроводниковых датчиков
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1998)

Миниатюрные полупроводниковые преобразователи для измерения импульсных давлений
von: Байцар, Р.И., et al.
Veröffentlicht: (1998)

Классификационный анализ акустооптических устройств управления лазерным пучком
von: Данилов, В.В.
Veröffentlicht: (2000)

Магнитоуправляемый переключатель
von: Викулина, Л.Ф.
Veröffentlicht: (1999)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние режима работы термоэлектрического устройства на его надежность
von: Моисеев, В.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Алмазные бруски на антифрикционной самосмазывающейся связке для финишного хонингования
von: Чалый, В.Т., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Широкополосные высокочувствительные детекторные устройства миллиметрового диапазона радиоволн
von: Асеева, Е.Н., et al.
Veröffentlicht: (2003)