Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻²....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862655345307942912 |
|---|---|
| author | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| author_facet | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| citation_txt | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².
|
| first_indexed | 2025-12-02T02:45:20Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52426 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-02T02:45:20Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. 2014-01-01T17:31:06Z 2014-01-01T17:31:06Z 2008 Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻². ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів Specifies of the formed fast cover silica diodes Article published earlier |
| spellingShingle | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_alt | Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів Specifies of the formed fast cover silica diodes |
| title_full | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_fullStr | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full_unstemmed | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_short | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_sort | особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 |
| work_keys_str_mv | AT gorbanʹan osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT kravčinavv osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gomolʹskiidm osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT solodovnikai osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gorbanʹan osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT kravčinavv osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT gomolʹskiidm osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT solodovnikai osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT gorbanʹan specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT kravčinavv specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT gomolʹskiidm specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT solodovnikai specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes |