Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻²....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52426 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. 2014-01-01T17:31:06Z 2014-01-01T17:31:06Z 2008 Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻². ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів Specifies of the formed fast cover silica diodes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| spellingShingle |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_fullStr |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_full_unstemmed |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| title_sort |
особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов |
| author |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| author_facet |
Горбань, А.Н. Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2008 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Особливості формування швидковідновлювальних кремнієвих діодів Specifies of the formed fast cover silica diodes |
| description |
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426 |
| citation_txt |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT gorbanʹan osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT kravčinavv osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gomolʹskiidm osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT solodovnikai osobennostiformirovaniâbystrovosstanavlivaûŝihsâkremnievyhdiodov AT gorbanʹan osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT kravčinavv osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT gomolʹskiidm osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT solodovnikai osoblivostíformuvannâšvidkovídnovlûvalʹnihkremníêvihdíodív AT gorbanʹan specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT kravčinavv specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT gomolʹskiidm specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes AT solodovnikai specifiesoftheformedfastcoversilicadiodes |
| first_indexed |
2025-12-02T02:45:20Z |
| last_indexed |
2025-12-02T02:45:20Z |
| _version_ |
1850861364583596032 |