Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов - Горбань, А.Н.; Кравчина, В.В.; Гомольский, Д.М.; Солодовник, А.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².