Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Горбань, А.Н., Кравчина, В.В., Гомольский, Д.М., Солодовник, А.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Schlagworte: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52426
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻²....