Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2008
• Main Authors: Ёдгорова, Д.М., Каримов, А.В., Гиясова, Ф.А., Саидова, Р.А.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52428
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры / Д.М. Ёдгорова, А.В. Каримов, Ф.А. Гиясова, Р.А. Саидова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 46-49. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Исследованы характеристики двухсторонне чувствительных структур при воздействии излучения, определяемого областью собственного поглощения базовых областей. Структуры представляют интерес как бесшумные фотоприемники для опто- и микроэлектроники....