Buchumschlag

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники

Разработан новый метод отображения «горячих точек» в изделиях микроэлектроники, основанный на визуализации локальной холестерической фазы в смектической фазе холестерического жидкого кристалла. Приведена технология реализации метода и примеры его использования....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Попов, В.М., Клименко, А.С., Поканевич, А.П.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52430
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники / В.М. Попов, А.С. Клименко, А.П. Поканевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 55-58. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Усовершенствованный метод выявления «горячих точек» в изделиях микроэлектроники
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Бесконтактный метод определения эффективности термоэлектрических материалов
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2009)

Измерительно-вычислительный комплекс СМ-100 для характеризации жидкокристаллических дисплеев
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Лазерная абляция и фотостимулированная пассивация поверхности кристаллов Cd1–хZnхTe
von: Загоруйко, Ю.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Турцевич, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности трансформации примесно-дефектных комплексов в CdTe:Cl под воздействием СВЧ-облучения
von: Будзуляк, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
von: Невлюдов, И.Ш., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Новосядлый, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Жавжаров, Е.Л., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технология и оборудование для обработки алмазных материалов современной электроники
von: Митягин, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
von: Глушко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Разработка процесса глубокого плазменного травления кремния для технологии трехмерной интеграции кристаллов
von: Голишников, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
von: Иванчиков, А.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Диффузия фосфора с применением твердого планарного источника в производстве интегральных схем
von: Шангереева, Б.А.
Veröffentlicht: (2008)

Источник бескапельных плазменных потоков для наноэлектроники
von: Борисенко, А.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Алгоритм выбора интервала пересчета параметров объектов контроля и управления в АСУ ТП
von: Тыныныка, А.Н
Veröffentlicht: (2016)

Макет экспериментальной установки для исследования пространственно-временного интегрирования в акустооптической среде
von: Рудякова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аналитические электронные весы с цифроаналоговым каналом компенсации
von: Липинский, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Дранчук, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Болтовец, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
von: Александров, С.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Ударостойкие защитные пленочные покрытия на основе AlN в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Источник питания для контактной микросварки с программируемой формой сварочного импульса
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Сравнительный анализ технологий изготовления кремниевых схем считывания информации с ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение помехоустойчивости бинаризации изображений фотошаблонов в пространстве вейвлет-преобразования
von: Щербакова, Г.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)