Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода
Изучено поведение AsCl₃ в солянокислых растворах. Предложен метод очистки и конструкция колонны для непрерывного процесса ректификации.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | Мазницкая, О.В., Оксанич, А.П., Орел, В.И. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52431 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Ректификационная очистка трихлорида мышьяка от примеси кислорода / О.В. Мазницкая, А.П. Оксанич, В.И. Орел // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 59-60. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Исследование влияни кислорода на скорость и анизотропию глубинного травления кремния в плазмохимическом реакторе с управляемым магнитним полем
von: Гладковский, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Зависимость свойств толстопленочных терморезисторов от состава базовой шпинели
von: Гадзаман, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Зависимость диэлектрической проницаемости кристаллизующейся фазы стеклокерамики от времени спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2010) -
Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Попов, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Межслоевые примесные нанокомпозиты поверхности (0001) кристалла Bi₂Te₃, легированного цинком и селеном
von: Алиева, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)