Зображення обкладинки

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния

Исследованы тензометрические характеристики микрокристаллов кремния р-типа. Разработаны тензорезисторы для различных диапазонов низкой температуры, включая температуру жидкого гелия, а также для работы в сильных магнитных полях при 4,2 К....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2008
Автори:	Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Павловский, И.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Теми:	Сенсоэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52443
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2016)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2013)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2001)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
за авторством: Дуб, С.Н., та інші
Опубліковано: (2013)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
за авторством: Дружинін, А.О., та інші
Опубліковано: (2019)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
за авторством: Капитанов, Н.В., та інші
Опубліковано: (2004)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2002)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
за авторством: Бабичев, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2004)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2019)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2003)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
за авторством: Дружинін, А.О., та інші
Опубліковано: (2018)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
за авторством: Лопин, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Спонтанная поляризация нестехиометричных кристаллов LiIO₃ в области низких температур
за авторством: Matyjasik, S., та інші
Опубліковано: (2016)

Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
за авторством: Ревенюк, Т.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2009)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
за авторством: Ушенин, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)

Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2008)

Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2010)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2010)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
за авторством: Клым, Г.И., та інші
Опубліковано: (2006)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2010)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2002)