Buchumschlag

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния

Исследованы тензометрические характеристики микрокристаллов кремния р-типа. Разработаны тензорезисторы для различных диапазонов низкой температуры, включая температуру жидкого гелия, а также для работы в сильных магнитных полях при 4,2 К....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Дружинин, А.А., Марьямова, И.И., Кутраков, А.П., Павловский, И.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Сенсоэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52443
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния / А.А. Дружинин, И.И. Марьямова, А.П. Кутраков, И.В. Павловский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тензорезисторы для низких температур на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Датчик для измерения криогенных температур на основе нитевидных кристаллов Si-Ge
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование влияния электронного облучения на кремниевые тензорезисторы
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Первичные преобразователи давления криогенных жидкостей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Создание переключающих элементов с памятью на основе кристаллов CdTe
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Высокотемпературные датчики давления с тензорезисторами на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Чувствительный элемент двухфункционального сенсора магнитного поля и деформации на основе микрокристаллов Si<B, Ni>
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Механические свойства нитевидных кристаллов HfB₂
von: Дуб, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Високотемпературні сенсори деформації на основі ниткоподібних кристалів фосфіду галію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Устройства измерения температуры на основе пленочных термоэлектрических сенсоров
von: Капитанов, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Система измерения магнитного поля и температуры с цифровой обработкой сигнала
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Датчики Холла на основе структур GaAs, полученных низкотемпературной ЖФЭ из расплавов Bi
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Преобразователь давления с частотным выходом на основе однопереходных тензотранзисторов
von: Бабичев, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

«Электронный нос» на основе матрицы элементарных полупроводниковых резистивных сенсоров
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование частотной зависимости проводимости нитевидных кристаллов кремния при криогенных температурах для создания сенсоров температуры на их основе
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Распределения температуры анизотропной пластины с учетом ее оптических свойств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
von: Дружинін, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC
von: Лопин, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Спонтанная поляризация нестехиометричных кристаллов LiIO₃ в области низких температур
von: Matyjasik, S., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение кремниевых нитевидных нанокристаллов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Температурная зависимость рабочих характеристик пьезоэлектрических сенсоров на основе поливинилиденфторида
von: Ревенюк, Т.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Магнитокоммутируемая микросхема и датчик измерения скорости ветра на ее основе
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ушенин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анизотропный приемник теплового излучения на основе антимонида кадмия
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптические сенсоры газов на основе полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2008)

Оптоэлектронные сенсоры газов на основе многоэлементных источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2010)

Использование позитронной аннигиляционной спектроскопии для контроля процессов влагопоглощения в нанопористой керамике MgAl₂O₄
von: Клым, Г.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2010)

Использование низкоразмерных гетероструктур соединений А³В⁵ в датчиках давления
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)