Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
Исследована зависимость яркости электролюминесцентных индикаторов от состава активного материала, от напряжения и частоты источника питания. Выбран оптимальный состав активного материала, разработан источник питания с автоматической подстройкой яркости свечения при изменении уровня освещенности....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | Ленков, С.В., Гунченко, Ю.А., Жеревчук, В.В., Селюков, А.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52445 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания / С.В. Ленков, Ю.А Гунченко.,В.В. Жеревчук, А.В. Селюков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 36-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Lenkov, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Lenkov, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Блецкан, Д.И., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)
ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)
Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
von: Колпакович, Ю.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Колпакович, Ю.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Lenkov, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007) -
Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)