Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления

Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2008
Main Authors: Костин, Е.Г., Демчишин, A.В.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52448
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52448
record_format dspace
spelling Костин, Е.Г.
Демчишин, A.В.
2014-01-01T21:53:48Z
2014-01-01T21:53:48Z
2008
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52448
Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
Осадження плівок TiN та TiO₂ в оберненому циліндричному магнетроні методом реактивного розпилення
Deposition of the TiN andTiO₂, films in the inverted cylindrical direct-current magnetron by a reactive sputtering
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
spellingShingle Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
Костин, Е.Г.
Демчишин, A.В.
Технологические процессы и оборудование
title_short Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
title_full Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
title_fullStr Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
title_full_unstemmed Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
title_sort осаждение пленок tin и tio₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления
author Костин, Е.Г.
Демчишин, A.В.
author_facet Костин, Е.Г.
Демчишин, A.В.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2008
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Осадження плівок TiN та TiO₂ в оберненому циліндричному магнетроні методом реактивного розпилення
Deposition of the TiN andTiO₂, films in the inverted cylindrical direct-current magnetron by a reactive sputtering
description Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52448
citation_txt Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kostineg osaždenieplenoktinitio2vobraŝennomcilindričeskommagnetronemetodomreaktivnogoraspyleniâ
AT demčišinav osaždenieplenoktinitio2vobraŝennomcilindričeskommagnetronemetodomreaktivnogoraspyleniâ
AT kostineg osadžennâplívoktintatio2vobernenomucilíndričnomumagnetronímetodomreaktivnogorozpilennâ
AT demčišinav osadžennâplívoktintatio2vobernenomucilíndričnomumagnetronímetodomreaktivnogorozpilennâ
AT kostineg depositionofthetinandtio2filmsintheinvertedcylindricaldirectcurrentmagnetronbyareactivesputtering
AT demčišinav depositionofthetinandtio2filmsintheinvertedcylindricaldirectcurrentmagnetronbyareactivesputtering
first_indexed 2025-12-07T19:13:06Z
last_indexed 2025-12-07T19:13:06Z
_version_ 1850877973497905152