Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления - Костин, Е.Г.; Демчишин, A.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения.