Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2008
• Main Authors: Костин, Е.Г., Демчишин, A.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Subjects: Технологические процессы и оборудование
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52448
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Осаждение пленок TiN и TiO₂ в обращенном цилиндрическом магнетроне методом реактивного распыления / Е.Г. Костин, A.В. Демчишин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 47-51. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Рассмотрена возможность контроля условий получения стехиометрических пленок TiN и TiO₂ по спектральным характеристикам плазмы магнетронного разряда и по изменению разрядного напряжения....