Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2008
• Main Authors: Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Subjects: Материалы электроники
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52449
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.