Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52449 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2010)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2014)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Бончик, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2005)
Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2014)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Балицкий, А.А.
Опубліковано: (2005)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кудринский, З.Р., та інші
Опубліковано: (2012)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Вакив, Н.М.
Опубліковано: (2000)
Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ховерко, Ю.Н.
Опубліковано: (2010)
Получение и свойства пористого карбида кремния
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Светличная, Л.А., та інші
Опубліковано: (2005)
Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Пучкова, Н.С., та інші
Опубліковано: (2000)
Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, К.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Зарбалиев, М.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Стерхова, А.В., та інші
Опубліковано: (2001)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Балицкая, В.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
за авторством: Алиева, Х.С., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Алиева, Х.С., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
за авторством: Семенов, A.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Семенов, A.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кузенко, Д.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Марьянчук, П.Д., та інші
Опубліковано: (2014)
Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2003)
Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Катрунов, К.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Старжинский, Н.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гохман, А.Р., та інші
Опубліковано: (2000)
Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Храмов, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2003)
Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дмитриев, М.В., та інші
Опубліковано: (2008)