Buchumschlag

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs

Выявлены особенности вольт-фарадных характеристик ионно-имплантированных структур GaAs, обусловленные наличием глубоких центров захвата.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Горев, Н.Б., Коджеспирова, И.Ф., Привалов, Е.Н.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Материалы электроники
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52449
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 4. — С. 52-54. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Бончик, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Элементы твердотельной электроники на основе КНИ-структур и нитевидных кристаллов Si для криогенных температур
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Балицкий, А.А.
Veröffentlicht: (2005)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование деградации радиационно-оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников
von: Вакив, Н.М.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование стойкости слоев поликремния в КНИ-структурах при воздействии электронного облучения и сильного магнитного поля
von: Ховерко, Ю.Н.
Veröffentlicht: (2010)

Получение и свойства пористого карбида кремния
von: Светличная, Л.А., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Система паст "Аналог-4" расширяет возможности толстопленочной технологии
von: Пучкова, Н.С., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Наноструктурированная композитная пленка для сенсоров влажности
von: Коваленко, К.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термоэлектрические свойства сплавов системы TlInTe₂-TlYbTe₂
von: Зарбалиев, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Способ определения доли кристаллов в стеклокерамическом диэлектрике
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
von: Стерхова, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 2. Мономолекулярная модель кинетики
von: Балицкая, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Оценка параметров компонентов моноармированой стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование параметров стеклокерамики со стеклокристаллической матрицей для разных соотношений компонентов и режимов спекания
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl₂
von: Алиева, Х.С., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние электронного облучения на оптические свойства пленок нанокристаллического SiC на подложках из монокристалла Al₂O₃
von: Семенов, A.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Прогноз диэлектрических потерь в стеклокерамике для разных соотношений массовых долей компонентов
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса термической деполяризации сегнетокерамики (Pb,Sr)(Zr,Ti)O₃
von: Кузенко, Д.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Физические свойства и зонная структура кристаллов (3HgTe)1-x(Al₂Te₃)x, легированных марганцем
von: Марьянчук, П.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Деградационные превращения в топологически разупорядоченных твердых телах: 1. Математические модели кинетики
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Эффективные сцинтилляционные материалы на основе твердых растворов ZnS1–xTex и перспективы их применения
von: Катрунов, К.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Разработка сцинтилляторов на основе соединений AIIBVI для медицинского и технического радиационного приборостроения
von: Старжинский, Н.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Использование "эффекта текстуры" для повышения прочности конструкционных материалов
von: Гохман, А.Р., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами
von: Храмов, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Математические модели формирования химической связи твердых растворов CdSb–ZnSb
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Прогнозирование диэлектрических свойств некристаллизующейся моноармированной полиматричной стеклокерамики
von: Дмитриев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)