Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2008 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52486 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Summary: | Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |