Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V

Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2008
Автори: Воронин, В.А., Губа, С.К., Курило, И.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Теми:
Технологические процессы и оборудование
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52486
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52486
record_format dspace
spelling Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
2014-01-03T23:10:53Z
2014-01-03T23:10:53Z
2008
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52486
Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Технологические процессы и оборудование
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
Хімічне осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V
Chemical deposition from gas phase of the hetero- and nanostructures of III-V compounds
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
spellingShingle Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
Технологические процессы и оборудование
title_short Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
title_full Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
title_fullStr Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
title_full_unstemmed Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
title_sort химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений iii–v
author Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
author_facet Воронин, В.А.
Губа, С.К.
Курило, И.В.
topic Технологические процессы и оборудование
topic_facet Технологические процессы и оборудование
publishDate 2008
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Хімічне осадження з газової фази гетеро- та наноструктур сполук III-V
Chemical deposition from gas phase of the hetero- and nanostructures of III-V compounds
description Исследованы технологические условия формирования перенасыщенной паровой фазы при низкотемпературной газотранспортной эпитаксии для выращивания гетеро- и наноструктур на основе соединений In1-xGax As, GaAs1-xPx.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52486
citation_txt Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V / В.А. Воронин, С.К. Губа, И.В. Курило // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 36-40. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT voroninva himičeskoeosaždenieizgazovoifazigeteroinanostruktursoedineniiiiiv
AT gubask himičeskoeosaždenieizgazovoifazigeteroinanostruktursoedineniiiiiv
AT kuriloiv himičeskoeosaždenieizgazovoifazigeteroinanostruktursoedineniiiiiv
AT voroninva hímíčneosadžennâzgazovoífazigeterotananostrukturspolukiiiv
AT gubask hímíčneosadžennâzgazovoífazigeterotananostrukturspolukiiiv
AT kuriloiv hímíčneosadžennâzgazovoífazigeterotananostrukturspolukiiiv
AT voroninva chemicaldepositionfromgasphaseoftheheteroandnanostructuresofiiivcompounds
AT gubask chemicaldepositionfromgasphaseoftheheteroandnanostructuresofiiivcompounds
AT kuriloiv chemicaldepositionfromgasphaseoftheheteroandnanostructuresofiiivcompounds
first_indexed 2025-12-07T15:55:46Z
last_indexed 2025-12-07T15:55:46Z
_version_ 1850865558621257728

Схожі ресурси