Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
Разработан испаритель оригинальной конструкции, предназначенный для термического распыления материалов в технологических процессах изготовления СВЧ-транзисторов, диодов и монолитных схем....
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | Босый, В.И., Кохан, В.П., Рахманов, Н.М. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52490 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Испаритель для термического напыления материалов в вакууме / В.И. Босый, В.П. Кохан, Н.М. Рахманов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 5. — С. 56-57. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
за авторством: Ануфриев, Л.П., та інші
Опубліковано: (2005) -
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010) -
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Андронова, Е.В., та інші
Опубліковано: (2008) -
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011) -
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
за авторством: Одиноков, В.В., та інші
Опубліковано: (2011)