Марончук, И., & Дображанский, Ю. (2008). Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Марончук, И.Е, та Ю.А Дображанский. "Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2008.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Марончук, И.Е, та Ю.А Дображанский. "Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.