Марончук, И., & Дображанский, Ю. (2008). Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей. Технология и конструирование в электронной аппаратуре.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Марончук, И.Е, und Ю.А Дображанский. "Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей." Технология и конструирование в электронной аппаратуре 2008.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Марончук, И.Е, und Ю.А Дображанский. "Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей." Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.