Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862729300109688832 |
|---|---|
| author | Марончук, И.Е. Дображанский, Ю.А. |
| author_facet | Марончук, И.Е. Дображанский, Ю.А. |
| citation_txt | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.
|
| first_indexed | 2025-12-07T19:13:51Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52534 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T19:13:51Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Марончук, И.Е. Дображанский, Ю.А. 2014-01-04T18:04:24Z 2014-01-04T18:04:24Z 2008 Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534 Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Энергетическая электроника Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей Гетероструктури на основі GaAs з квантовими точками InAs для фотоелектричних перетворювачів Heterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformers Article published earlier |
| spellingShingle | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей Марончук, И.Е. Дображанский, Ю.А. Энергетическая электроника |
| title | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_alt | Гетероструктури на основі GaAs з квантовими точками InAs для фотоелектричних перетворювачів Heterostructures on the basis of GaAs with quantum points of InAs for photo-electric transformers |
| title_full | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_fullStr | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_full_unstemmed | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_short | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей |
| title_sort | гетероструктуры на основе gaas с квантовыми точками inas для фотоэлектрических преобразователей |
| topic | Энергетическая электроника |
| topic_facet | Энергетическая электроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534 |
| work_keys_str_mv | AT marončukie geterostrukturynaosnovegaasskvantovymitočkamiinasdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT dobražanskiiûa geterostrukturynaosnovegaasskvantovymitočkamiinasdlâfotoélektričeskihpreobrazovatelei AT marončukie geterostrukturinaosnovígaaszkvantovimitočkamiinasdlâfotoelektričnihperetvorûvačív AT dobražanskiiûa geterostrukturinaosnovígaaszkvantovimitočkamiinasdlâfotoelektričnihperetvorûvačív AT marončukie heterostructuresonthebasisofgaaswithquantumpointsofinasforphotoelectrictransformers AT dobražanskiiûa heterostructuresonthebasisofgaaswithquantumpointsofinasforphotoelectrictransformers |