Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ерохов, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Иванченко, А.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Масенко, Б.П.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Масенко, Б.П.
Опубліковано: (2002)
Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курак, В.В., та інші
Опубліковано: (2002)
Определение энергетических и массогабаритных показателей пассивных элементов импульсных преобразователей
за авторством: Афанасьев, А.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Афанасьев, А.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
за авторством: Кадацкий, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Кадацкий, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2016)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Гибридные энергонакопители на основе аккумуляторов и суперконденсаторов для контактной микросварки
за авторством: Бондаренко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Бондаренко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Управление многофазным импульсным преобразователем постоянного напряжения с гранично-разрывным режимом функционирования
за авторством: Гунченко, Ю.А.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Гунченко, Ю.А.
Опубліковано: (2007)
Формирователи импульсов тока для контактной сварки
за авторством: Паэранд, Ю.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Паэранд, Ю.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
Балансування напруги модульного накопичувача енергії джерела живлення для контактного мікрозварювання
за авторством: Кожушко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кожушко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
за авторством: Сидорец, В.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Сидорец, В.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Peleshchak, R.M., та інші
Опубліковано: (2022)
Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2015)
Магний-воздушный первичный источник тока
за авторством: Короленко, С.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Короленко, С.Д., та інші
Опубліковано: (2007)
Моделирование термоэлектрической системы генерирования тепловой и электрической энергии
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Михайловский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2005)
Вдосконалена методика оцінки втрат в імпульсних перетворювачах установок контактного мікрозварювання
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Бондаренко, О.Ф., та інші
Опубліковано: (2018)
Оптимизация структуры многоячейкового транзисторного преобразователя
за авторством: Бондаренко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бондаренко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Гниленко, А.Б., та інші
Опубліковано: (2012)
Анализ энергетических процессов в импульсных преобразователях электрической энергии переменного тока
за авторством: Кадацкий, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кадацкий, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2015)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Вакуленко, О.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Грищенко, С.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: V. I. Boichuk, та інші
Опубліковано: (2017)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: R. M. Peleshchak, та інші
Опубліковано: (2012)
Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Прохоров, Э.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Марончук, И.Е., та інші
Опубліковано: (2003)
Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Кравец, В.Ю., та інші
Опубліковано: (2004)
InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)