Buchumschlag

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Schlagworte:	Энергетическая электроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремний мультипористой текстуры для фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии
von: Ерохов, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Изменения характеристик кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечных батарей после токовых перегрузок
von: Иванченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Условия получения полых кремниевых призм для фотоэлектрических преобразователей
von: Масенко, Б.П.
Veröffentlicht: (2002)

Технологический аспект повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей
von: Курак, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Определение энергетических и массогабаритных показателей пассивных элементов импульсных преобразователей
von: Афанасьев, А.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Анализ энергетических и магнитных процессов в дросселях импульсных преобразователей электрической энергии
von: Кадацкий, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Гибридные энергонакопители на основе аккумуляторов и суперконденсаторов для контактной микросварки
von: Бондаренко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Управление многофазным импульсным преобразователем постоянного напряжения с гранично-разрывным режимом функционирования
von: Гунченко, Ю.А.
Veröffentlicht: (2007)

Формирователи импульсов тока для контактной сварки
von: Паэранд, Ю.Э., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Балансування напруги модульного накопичувача енергії джерела живлення для контактного мікрозварювання
von: Кожушко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Схемотехника источников питания для импульсно-дуговой сварки с хаотическими колебаниями тока
von: Сидорец, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Частотна модуляція рекомбінаційного випромінювання гетероструктури InAs/GaAs з квантовими точками InAs під впливом акустичної хвилі
von: Peleshchak, R.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Гниленко, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Магний-воздушный первичный источник тока
von: Короленко, С.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование термоэлектрической системы генерирования тепловой и электрической энергии
von: Михайловский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Оптимизация структуры многоячейкового транзисторного преобразователя
von: Бондаренко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Вдосконалена методика оцінки втрат в імпульсних перетворювачах установок контактного мікрозварювання
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
von: Гниленко, А.Б., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Анализ энергетических процессов в импульсных преобразователях электрической энергии переменного тока
von: Кадацкий, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Глибокі рівні прилипання у гетероструктурах In₀,₄Ga₀,₆As/GaAs з квантовими точками
von: Вакуленко, О.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Miniband electrical conductivity in superlattices of spherical InAs/GaAs quantum dots
von: V. I. Boichuk, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Импеданс и эффективность генерации планарного диода с резонансно-туннельной границей на основе GaAs
von: Прохоров, Э.Д., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Modulation of the direction of radiation emitted by an InAs/GaAs heterolaser with InAs quantum dots under the influence of acoustic wave
von: R. M. Peleshchak, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование теплопередающих характеристик радиаторов с оребрением на основе миниатюрных тепловых труб
von: Кравец, В.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)

InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)