Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей

• Veröffentlicht in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Datum: 2008
• Hauptverfasser: Марончук, И.Е., Дображанский, Ю.А.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Schlagworte: Энергетическая электроника
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52534
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей / И.Е. Марончук, Ю.А. Дображанский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 32-34. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки....