Симметричный двухкоординатный фотодиод
Разработан и исследован двухкоординатный фотодиод на продольном фотоэффекте, имеющий симметричные по крутизне и продольному сопротивлению координатные характеристики....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2008 |
| Автори: | Добровольский, Ю.Г., Рюхтин, В.В., Фединчук, И.И., Юрьев, В.Г. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52535 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Симметричный двухкоординатный фотодиод / Ю.Г. Добровольский, В.В. Рюхтин, И.И. Фединчук, В.Г. Юрьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 35-37. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008)
Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)
Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2005)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Попов, В.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2009)
Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ленков, С.В., та інші
Опубліковано: (2008)
Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)
Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)
Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)
Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)
Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)
Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
за авторством: Обухов, И.А.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Обухов, И.А.
Опубліковано: (2007)
Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)
Схожі ресурси
-
Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006) -
Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011) -
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012) -
Симметричный двухкоординатный фотодиод
за авторством: Dobrovolskiy, Yu. G., та інші
Опубліковано: (2008) -
Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)