Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа

Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:2008
Автори: Краснов, В.А., Шварц, Ю.М., Шварц, М.М., Копко, Д.П., Ерохин, С.Ю., Фонкич, А.М., Шутов, С.В., Сыпко, Н.И.
Формат: Стаття
Мова:Російська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52536
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862742474822254592
author Краснов, В.А.
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Копко, Д.П.
Ерохин, С.Ю.
Фонкич, А.М.
Шутов, С.В.
Сыпко, Н.И.
author_facet Краснов, В.А.
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Копко, Д.П.
Ерохин, С.Ю.
Фонкич, А.М.
Шутов, С.В.
Сыпко, Н.И.
citation_txt Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
collection DSpace DC
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.
first_indexed 2025-12-07T20:24:57Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52536
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 2225-5818
language Russian
last_indexed 2025-12-07T20:24:57Z
publishDate 2008
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Краснов, В.А.
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Копко, Д.П.
Ерохин, С.Ю.
Фонкич, А.М.
Шутов, С.В.
Сыпко, Н.И.
2014-01-04T18:11:57Z
2014-01-04T18:11:57Z
2008
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p⁺–n-типа / В.А. Краснов, Ю.М. Шварц, М.М. Шварц, Д.П. Копко, С.Ю. Ерохин, А.М. Фонкич, С.В. Шутов, Н.И. Сыпко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 38-40. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52536
Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
Дослідження термометричних характеристик GaP-діодів p⁺–n-типу
Investigation of thermometrical characteristics of p⁺–n-GaP diodes
Article
published earlier
spellingShingle Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
Краснов, В.А.
Шварц, Ю.М.
Шварц, М.М.
Копко, Д.П.
Ерохин, С.Ю.
Фонкич, А.М.
Шутов, С.В.
Сыпко, Н.И.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_alt Дослідження термометричних характеристик GaP-діодів p⁺–n-типу
Investigation of thermometrical characteristics of p⁺–n-GaP diodes
title_full Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_fullStr Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_full_unstemmed Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_short Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
title_sort исследование термометрических характеристик gap-диодов p+–n-типа
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52536
work_keys_str_mv AT krasnovva issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT švarcûm issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT švarcmm issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT kopkodp issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT erohinsû issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT fonkičam issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT šutovsv issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT sypkoni issledovanietermometričeskihharakteristikgapdiodovpntipa
AT krasnovva doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT švarcûm doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT švarcmm doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT kopkodp doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT erohinsû doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT fonkičam doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT šutovsv doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT sypkoni doslídžennâtermometričnihharakteristikgapdíodívpntipu
AT krasnovva investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT švarcûm investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT švarcmm investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT kopkodp investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT erohinsû investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT fonkičam investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT šutovsv investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes
AT sypkoni investigationofthermometricalcharacteristicsofpngapdiodes