Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа - Краснов, В.А.; Шварц, Ю.М.; Шварц, М.М.; Копко, Д.П.; Ерохин, С.Ю.; Фонкич, А.М.; Шутов, С.В.; Сыпко, Н.И. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Разработана методика получения диодных эпитаксиальных структур фосфида галлия (p⁺–n-типа), изготовлены опытные образцы сенсоров температуры и определены их технические параметры, показана перспективность применения.