Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смеси на основе неорганических кислот....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | Андронова, Е.В., Курак, В.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52537 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев / Е.В. Андронова, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 41-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Levchenko, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)
GaSb whiskers in sensor electronics
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Druzhinin, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Использование квантовых точек InSb в термофотовольтаических преобразователях на основе GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Сухой пленочный фоторезист как изоляционное покрытие алюминиевых подложек
von: Короткевич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)
von: Короткевич, А.В., et al.
Veröffentlicht: (1999)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: A. Druzhinin, et al.
Veröffentlicht: (2017)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Simulation of strain fields in GaSb/InAs heteroepitaxial system
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Shutov, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Установка для выращивания малодислокационных монокристаллов GaAs большого диаметра
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Исследование системы GaSb+Bi методом обратного рассеяния протонов
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Цымбал, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Формування реакційного шару при анодній поляризації Ga-, Sb-, GaSb-електродів у розчині гідроксиду натрію
von: Омельчук, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Омельчук, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Superconductivity and weak anti-localization in GaSb whiskers under strain
von: N. Liakh-Kaguy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: N. Liakh-Kaguy, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Электрохимическое внедрение натрия и калия в InSb-, GaSb-электроды из щелочных растворов
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Омельчук, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)
Приборное обеспечение измерения параметров ультразвуковых воздействий в технологических процессах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Новое технологическое оборудование для инновационных технологий микро-, нано- и радиоэлектроники
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Одиноков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Воробьев, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Дудин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Сравнительный анализ методов сборки микросхем на гибких полиимидных носителях
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Вербицкий, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Наноструктурированные пленки ZnO для устройств микроэлектроники и оптики
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Технология сборки микросхем на гибком полиимидном носителе
von: Плис, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Плис, Н.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование линейной корреляционной связи в парных выборках малого объема
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
von: Попукайло, В.С.
Veröffentlicht: (2016)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Конструкторско-технологические варианты коммутационных плат с подложкой из кремния
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2005)
Повышение качества изделий электронной техники путем моделирования стадий их производства
von: Шестакова, Т.В.
Veröffentlicht: (2007)
von: Шестакова, Т.В.
Veröffentlicht: (2007)
Вычисление дифракционной составляющей глубины резко изображаемого пространства в оптическом микроскопе
von: Боровицкий, В.Н.
Veröffentlicht: (2007)
von: Боровицкий, В.Н.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003) -
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
von: Рогов, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2005) -
Технология создания легированных бором слоев на алмазе
von: Зяблюк, К.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)