Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смеси на основе неорганических кислот....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | Андронова, Е.В., Курак, В.В. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52537 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев / Е.В. Андронова, В.В. Курак // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 41-43. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А³В⁵
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Андронова, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Марончук, И.Е., et al.
Veröffentlicht: (2003)