Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2008
• Автори: Гасанов, Г.А., Мургузов, М.И.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
• Теми: Материалы электроники
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52540
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x / Г.А. Гасанов, М.И. Мургузов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 50-54. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Исследованы твердые растворы на основе сульфида свинца, относящиеся к классу узкощелевых полупроводников. Обнаружены аномалии в зависимости подвижности носителей заряда от концентрации примеси....