Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла
Изучено влияние γ-излучения на структурную сетку халькогенидного стекла химического состава Ge1₁₅,₈As₂₁S₆₃,₂. Показано, что имеет место радиационно-индуцированное уменьшение хрупкости структурной сетки облученного образца....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2008 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52542 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Радиационная модификация структурной сетки халькогенидного стекла / Т.С. Кавецкий, О.И. Шпотюк, П.Г. Литовченко, В.М. Цмоць // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 6. — С. 58-59. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Изучено влияние γ-излучения на структурную сетку халькогенидного стекла химического состава Ge1₁₅,₈As₂₁S₆₃,₂. Показано, что имеет место радиационно-индуцированное уменьшение хрупкости структурной сетки облученного образца.
|
|---|---|
| ISSN: | 2225-5818 |