Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:2007
Hauptverfasser: Кушниренко, В.В., Нинидзе, Г.К., Павлюк, С.П., Савицкий, С.М., Третяк, О.В.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52645
record_format dspace
spelling Кушниренко, В.В.
Нинидзе, Г.К.
Павлюк, С.П.
Савицкий, С.М.
Третяк, О.В.
2014-01-05T20:24:10Z
2014-01-05T20:24:10Z
2007
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.
ru
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Функциональная микро- и наноэлектроника
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
Вплив імпульсів прямою струму на час житія неосновних носіїв заряду у р⁺–n-діоді
Influence of pulses of a direct current on time of life of the not basic carriers of a charge in р⁺–n-diode
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
spellingShingle Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
Кушниренко, В.В.
Нинидзе, Г.К.
Павлюк, С.П.
Савицкий, С.М.
Третяк, О.В.
Функциональная микро- и наноэлектроника
title_short Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
title_full Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
title_fullStr Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
title_full_unstemmed Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
title_sort воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
author Кушниренко, В.В.
Нинидзе, Г.К.
Павлюк, С.П.
Савицкий, С.М.
Третяк, О.В.
author_facet Кушниренко, В.В.
Нинидзе, Г.К.
Павлюк, С.П.
Савицкий, С.М.
Третяк, О.В.
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
publishDate 2007
language Russian
container_title Технология и конструирование в электронной аппаратуре
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
format Article
title_alt Вплив імпульсів прямою струму на час житія неосновних носіїв заряду у р⁺–n-діоді
Influence of pulses of a direct current on time of life of the not basic carriers of a charge in р⁺–n-diode
description Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.
issn 2225-5818
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
citation_txt Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
work_keys_str_mv AT kušnirenkovv vozdeistvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositeleizarâdavrndiode
AT ninidzegk vozdeistvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositeleizarâdavrndiode
AT pavlûksp vozdeistvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositeleizarâdavrndiode
AT savickiism vozdeistvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositeleizarâdavrndiode
AT tretâkov vozdeistvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositeleizarâdavrndiode
AT kušnirenkovv vplivímpulʹsívprâmoûstrumunačasžitíâneosnovnihnosíívzarâduurndíodí
AT ninidzegk vplivímpulʹsívprâmoûstrumunačasžitíâneosnovnihnosíívzarâduurndíodí
AT pavlûksp vplivímpulʹsívprâmoûstrumunačasžitíâneosnovnihnosíívzarâduurndíodí
AT savickiism vplivímpulʹsívprâmoûstrumunačasžitíâneosnovnihnosíívzarâduurndíodí
AT tretâkov vplivímpulʹsívprâmoûstrumunačasžitíâneosnovnihnosíívzarâduurndíodí
AT kušnirenkovv influenceofpulsesofadirectcurrentontimeoflifeofthenotbasiccarriersofachargeinrndiode
AT ninidzegk influenceofpulsesofadirectcurrentontimeoflifeofthenotbasiccarriersofachargeinrndiode
AT pavlûksp influenceofpulsesofadirectcurrentontimeoflifeofthenotbasiccarriersofachargeinrndiode
AT savickiism influenceofpulsesofadirectcurrentontimeoflifeofthenotbasiccarriersofachargeinrndiode
AT tretâkov influenceofpulsesofadirectcurrentontimeoflifeofthenotbasiccarriersofachargeinrndiode
first_indexed 2025-12-07T21:17:16Z
last_indexed 2025-12-07T21:17:16Z
_version_ 1850885785580994560