Buchumschlag

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
ISSN:	2225-5818
Hauptverfasser:	Кушниренко, В.В., Нинидзе, Г.К., Павлюк, С.П., Савицкий, С.М., Третяк, О.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
von: Kushnirenko, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
von: Червоный, И.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
von: Павлюк, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
von: Кириченко, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование моделей родиевого эмиттера детектора прямого заряда
von: Борисенко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
von: Петров, Э.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
von: Локтев, В.М., et al.
Veröffentlicht: (1995)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
von: Сергеева, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2003)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
von: Палистрант, М.Е.
Veröffentlicht: (2002)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
von: Aзaренков, Н.A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
von: Богословский, Н.А., et al.
Veröffentlicht: (2019)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
von: Скрипник, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
von: Абдурахманов, Б.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
von: Сухаревский, Б.Я., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Воздействие физической культуры и спорта на экономическую сферу жизни государства и общества
von: Коваленко, Ю.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
von: Максименко, Л.С., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
von: Нинидзе, Г.К., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Нелинейный токовый резонанс в спиновом диоде с плоскостным намагничиванием
von: Кулагин, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
von: Коршунов, Ф.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
von: Бондарь, Н.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Hasanov, G. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
von: Маматкаримов, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
von: Даунов, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
von: Гасанов, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Время жизни звезд на стадии главной последовательности и максимальная масса звезд диска Галактики
von: Захожай, В.А.
Veröffentlicht: (2013)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)