Зображення обкладинки

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Дата:	2007
Автори:	Кушниренко, В.В., Нинидзе, Г.К., Павлюк, С.П., Савицкий, С.М., Третяк, О.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Російська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
за авторством: Kushnirenko, V. V., та інші
Опубліковано: (2007)

Прогрессивные методы повышения и контроля времени жизни неравновесных неосновных носителей заряда в базовых кристаллах для высокоэффективных кремниевых фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Кириченко, М.В., та інші
Опубліковано: (2009)

Распределение кислорода в монокристаллах кремния и его влияние на время жизни неравновесных носителей заряда
за авторством: Червоный, И.Ф., та інші
Опубліковано: (2007)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
за авторством: Кушниренко, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
за авторством: Кириченко, М.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
за авторством: Павлюк, С.П., та інші
Опубліковано: (2007)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
за авторством: Перевертайло, В.Л., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование моделей родиевого эмиттера детектора прямого заряда
за авторством: Борисенко, В.И., та інші
Опубліковано: (2017)

Кинетика формирования тока в молекулярном диоде
за авторством: Петров, Э.Г., та інші
Опубліковано: (2012)

К теории взаимодействия делокализованных носителей заряда с магнитными возбуждениями в высокотемпературных сверхпроводниках
за авторством: Локтев, В.М., та інші
Опубліковано: (1995)

О квантовой природе носителей заряда в псевдощелевом состоянии недостаточно допированных купратных ВТСП
за авторством: Сергеева, Г.Г., та інші
Опубліковано: (2007)

Сверхпроводимость в квазидвумерных неадиабатических системах с произвольной плотностью носителей заряда при T = 0
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2003)

Сверхпроводимость в примесных системах с пониженной плотностью носителей заряда и сильными электронными корреляциями
за авторством: Палистрант, М.Е.
Опубліковано: (2002)

Влияние облучения электронами на рассеяние носителей заряда в монокристаллах YBa₂Cu₃O₇₋δ
за авторством: Aзaренков, Н.A., та інші
Опубліковано: (2018)

Влияние релаксации носителей заряда на спектры донорно-акцепторной рекомбинации с учетом кулоновских корреляций
за авторством: Богословский, Н.А., та інші
Опубліковано: (2019)

О возможности оценки положения порога подвижности для носителей заряда с использованием одночастичных средних
за авторством: Скрипник, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2018)

Микроструктура межзеренных границ в поликристаллическом кремнии и ее влияние на перенос носителей заряда
за авторством: Абдурахманов, Б.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000)

Критическая температура и предельная концентрация носителей заряда в плоскостях CuO₂ в медьсодержащих ВТСП
за авторством: Сухаревский, Б.Я., та інші
Опубліковано: (1995)

Воздействие физической культуры и спорта на экономическую сферу жизни государства и общества
за авторством: Коваленко, Ю.Ю., та інші
Опубліковано: (2011)

Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
за авторством: Нинидзе, Г.К., та інші
Опубліковано: (2005)

Нелинейный токовый резонанс в спиновом диоде с плоскостным намагничиванием
за авторством: Кулагин, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2017)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)

Влияние водорода на процессы рассеяния носителей заряда в облученном γ-квантами ⁶⁰Со нелегированном GaAs n-типа
за авторством: Коршунов, Ф.П., та інші
Опубліковано: (2001)

Квантовые и поверхностные состояния носителей заряда в оптических спектрах нанокластеров в матрице с низкой диэлектрической постоянной
за авторством: Бондарь, Н.В., та інші
Опубліковано: (2008)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Hasanov, G. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)

Релаксационные изменения подвижности и концентрации носителей заряда в Si с глубокими примесными уровнями при воздействии импульсного давления
за авторством: Маматкаримов, О.О., та інші
Опубліковано: (2012)

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуационного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках
за авторством: Даунов, М.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Температурные и концентрационные зависимости подвижности носителей заряда в твердых растворах (PbS)1–x(Sm2S3)x
за авторством: Гасанов, Г.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Время жизни звезд на стадии главной последовательности и максимальная масса звезд диска Галактики
за авторством: Захожай, В.А.
Опубліковано: (2013)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
за авторством: Ковальчук, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2006)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)