Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2007
• ISSN: 2225-5818
• Main Authors: Кушниренко, В.В., Нинидзе, Г.К., Павлюк, С.П., Савицкий, С.М., Третяк, О.В.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Subjects: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52645
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.

Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока....