Cover Image

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры

Дано объяснение наблюдаемого в эксперименте изменения температурной зависимости сопротивления металлических квантовых проводов при изменении их поперечного размера....

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:	2007
Main Author:	Обухов, И.А.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Subjects:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52646
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры / И.А. Обухов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 36-39. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
by: Obukhov, I. A.
Published: (2007)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
by: Ленков, С.В., et al.
Published: (2008)

Изменение сопротивления силовых диодов под действием импульсов ударного тока
by: Павлюк, С.П., et al.
Published: (2007)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
by: Габа, В.М.
Published: (2009)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
by: Смынтына, В.А., et al.
Published: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2009)

Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
by: Попов, В.М., et al.
Published: (2010)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
by: Ижнин, И.И., et al.
Published: (2005)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
by: Солодуха, В.А., et al.
Published: (2012)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2006)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
by: Кондрик, А.И., et al.
Published: (2012)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
by: Захарченко, А.А., et al.
Published: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
by: Горбань, А.Н., et al.
Published: (2008)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
by: Перевертайло, В.Л., et al.
Published: (2005)

3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
by: Белянин, А.Ф., et al.
Published: (2005)

Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
by: Блецкан, Д.И., et al.
Published: (2014)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
by: Сидор, О.Н., et al.
Published: (2012)

Симметричный двухкоординатный фотодиод
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2008)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
by: Байдуллаева, А., et al.
Published: (2007)

Оптический аттенюатор
by: Докторович, И.В., et al.
Published: (2005)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
by: Сидоренко, В.П., et al.
Published: (2018)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
by: Босый, В.И., et al.
Published: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2009)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
by: Горев, Н.Б., et al.
Published: (2006)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
by: Семенов, А.А., et al.
Published: (2012)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
by: Ащеулов, А.А.
Published: (2007)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
by: Велещук, В.П., et al.
Published: (2017)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
by: Коваленко, Л.Ф., et al.
Published: (2009)

Устройства считывания информации с крупноформатных матриц ИК-фотодиодов
by: Рева, В.П., et al.
Published: (2011)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
by: Максименко, Л.С., et al.
Published: (2013)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Семенов, А.В., et al.
Published: (2012)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
by: Тонкошкур, А.С., et al.
Published: (2014)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
by: Добровольский, Ю.Г., et al.
Published: (2011)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2011)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2007)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
by: Ёдгорова, Д.М., et al.
Published: (2008)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
by: Каримов, А.В., et al.
Published: (2008)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Бобренко, Ю.Н., et al.
Published: (2009)