Buchumschlag

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения

Представлена конструкция устройства, предназначенного для определения распределения плотности лучистых потоков в широких спектральных и динамических диапазонах....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
1. Verfasser:	Ащеулов, А.А.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52647
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения / А.А. Ащеулов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 40-41. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
von: Ashcheulov, А. А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)

Модель линии передачи для наноэлектроники
von: Нелин, Е.А.
Veröffentlicht: (2009)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
von: Дементьев, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Жидкокристаллические мониторы для авиационной техники
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
von: Семенов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
von: Джавадов, Н.Г.
Veröffentlicht: (2005)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Зависимость сопротивления металлических квантовых проводов от температуры
von: Обухов, И.А.
Veröffentlicht: (2007)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
von: Кондрик, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)