Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ - Ткачук, А.И.; Царенко, О.Н.; Рябец, С.И.; Ткачук, И.Ю.; Ковалёв, Ю.Г. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.