Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | Ткачук, А.И., Царенко, О.Н., Рябец, С.И., Ткачук, И.Ю., Ковалёв, Ю.Г. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Подключающее МЭМС-устройство для контроля BGA-компонентов
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Невлюдов, И.Ш., та інші
Опубліковано: (2012)
Сетевая система контроля технологического процесса выращивания полупроводниковых кристаллов и тонких пленок
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Рогов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Испаритель для термического напыления материалов в вакууме
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2008)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Воронин, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кудрик, Я.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Моделирование технологии изготовления субмикронных КМОП СБИС с помощью систем TCAD
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Глушко, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Турцевич, А.С., та інші
Опубліковано: (2012)
Оптимизация струйной технологии изготовления токопроводящих элементов печатных плат
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Лесюк, Р.И., та інші
Опубліковано: (2010)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Иванчиков, А.Э., та інші
Опубліковано: (2008)
Схожі ресурси
-
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007) -
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013) -
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011) -
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)