Buchumschlag

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Ткачук, А.И., Царенко, О.Н., Рябец, С.И., Ткачук, И.Ю., Ковалёв, Ю.Г.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Технологические процессы и оборудование
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52648
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
von: Коваленко, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
von: Подкамень, Л.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
von: Щербань, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Турцевич, А.С.
Veröffentlicht: (2008)

Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2005)

СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
von: Григорьянц, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
von: Наливайко, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
von: Бойко, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
von: Макара, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Белянин, А.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
von: Баранов, В.В.
Veröffentlicht: (2005)

Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
von: Пилипенко, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Панфилов, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
von: Павлович, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
von: Джангидзе, Л.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
von: Крапивко, Г.И.
Veröffentlicht: (2005)

Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
von: Белоусов, И.В.
Veröffentlicht: (2007)

Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
von: Головко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
von: Дружинин, А.A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
von: Крылов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
von: Ланин, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
von: Никитинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2000)

Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
von: Житник, Н.Е., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Томашик, З.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2013)