Cover Image

Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶

Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Date:2007
Main Authors: Ткачук, А.И., Царенко, О.Н., Рябец, С.И., Ткачук, И.Ю., Ковалёв, Ю.Г.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52648
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items