Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Tkachuk, A. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение эффективных катодолюминесцентных структур на базе пленочной технологии
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Коваленко, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Мелебаев, Д., та інші
Опубліковано: (2008)
Высокочувствительная установка для оценки изменения показателя преломления водных растворов
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Подкамень, Л.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Melebayew, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Получение высокочистых гранулированных металлов: кадмия, цинка, свинца
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Щербань, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
Получение соединений повышенной плотности термозвуковой микросваркой в 3D интегральных микросхемах
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2014)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2005)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Наливайко, О.Ю., та інші
Опубліковано: (2012)
Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Получение, свойства и применение тонких нанонеоднородных пленок Ge на GaAs-подложках
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Венгер, Е.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Прибор и методы измерения параметров и степени однородности пленочных структур
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Макара, В.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Курмашев, Ш.Д., та інші
Опубліковано: (2002)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Белянин, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
Технологические предпосылки создания МОП-структур с малыми проектными нормами
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Баранов, В.В.
Опубліковано: (2005)
Методы и механизмы геттерирования кремниевых структур в производстве интегральных микросхем
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Пилипенко, В.А., та інші
Опубліковано: (2013)
Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Статистический анализ и оптимизация параметров технологии изготовления биполярного транзистора с изолированным затвором
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Баранов, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Панфилов, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Информационные параметры для реализации адаптивной зарядки вторичных химических источников тока
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Приборно-технологическое моделирование автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K₂Cr₂O₇–HBr
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Павлович, И.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Электроосаждение конформных электродов для получения туннельного перехода с вакуумным нанозазором
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Джангидзе, Л.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Крапивко, Г.И.
Опубліковано: (2005)
Направленная кристаллизация силицидных пленок на кремниевой подложке
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Белоусов, И.В.
Опубліковано: (2007)
Установка для регенерации сорбентов в электромагнитном поле
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Головко, М.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Технология изготовления автоэмиссионных кремниевых катодов субмикронных размеров
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Дружинин, А.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности конструкции и технологии сборки микроэлектронных координатно-чувствительных детекторов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2000)
Позиционирование изображений фотошаблонов в системах автоматизированного оптического контроля
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Крылов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Методика расчета параметров УЗ-преобразователей повышенной частоты
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Ланин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2013)
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006)
Источник магнитных полей сложной энергочастотной и поляризационной структуры
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Житник, Н.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Особенности изготовления Cd1-xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Томашик, З.Ф., та інші
Опубліковано: (2013)