Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862713618050580480 |
|---|---|
| author | Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. |
| author_facet | Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. |
| citation_txt | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:45:04Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52781 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T17:45:04Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. 2014-01-06T20:14:28Z 2014-01-06T20:14:28Z 2007 Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781 Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Материалы Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами Властивості епітаксіальних шарів GaAs, легованих рідкісноземельними елементами Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties Article published earlier |
| spellingShingle | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами Круковский, С.И. Сыворотка, Н.Я. Материалы |
| title | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_alt | Властивості епітаксіальних шарів GaAs, легованих рідкісноземельними елементами Rear earth doped epitaxial layers of GaAs properties |
| title_full | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_fullStr | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_full_unstemmed | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_short | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_sort | свойства эпитаксиальных слоев gaas, легированных редкоземельными элементами |
| topic | Материалы |
| topic_facet | Материалы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskiisi svoistvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami AT syvorotkanâ svoistvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami AT krukovskiisi vlastivostíepítaksíalʹnihšarívgaaslegovanihrídkísnozemelʹnimielementami AT syvorotkanâ vlastivostíepítaksíalʹnihšarívgaaslegovanihrídkísnozemelʹnimielementami AT krukovskiisi rearearthdopedepitaxiallayersofgaasproperties AT syvorotkanâ rearearthdopedepitaxiallayersofgaasproperties |