Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами - Круковский, С.И.; Сыворотка, Н.Я. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.