Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами

• Published in: Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Date: 2007
• Main Authors: Круковский, С.И., Сыворотка, Н.Я.
• Format: Article
• Language: Russian
• Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Subjects: Материалы
• Online Access: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52781
• Journal Title: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Cite this: Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.

Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.