Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52810 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. 2014-01-07T18:49:44Z 2014-01-07T18:49:44Z 2007 Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Нові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAs New possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| spellingShingle |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_full |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_fullStr |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_full_unstemmed |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_sort |
новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах au–n-gaas |
| author |
Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
| author_facet |
Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Нові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAs New possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs |
| description |
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 |
| citation_txt |
Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT melebaevd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebaevagd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹûv novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹvû novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebaevd novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT melebaevagd novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT rudʹûv novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT rudʹvû novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT melebaevd newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT melebaevagd newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT rudʹûv newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT rudʹvû newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas |
| first_indexed |
2025-12-07T16:27:12Z |
| last_indexed |
2025-12-07T16:27:12Z |
| _version_ |
1850867536727375872 |