Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....
Saved in:
| Published in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Date: | 2007 |
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862696311625613312 |
|---|---|
| author | Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
| author_facet | Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. |
| citation_txt | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description | Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.
|
| first_indexed | 2025-12-07T16:27:12Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52810 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 2225-5818 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T16:27:12Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. 2014-01-07T18:49:44Z 2014-01-07T18:49:44Z 2007 Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Нові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAs New possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs Article published earlier |
| spellingShingle | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs Мелебаев, Д. Мелебаева, Г.Д. Рудь, Ю.В. Рудь, В.Ю. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_alt | Нові можливості фотоелектричного метода визначення висоти бар’єра у структурах Au–n-GaAs New possibilities of photoelectric method of determination barrier height in structures Au–n-GaAs |
| title_full | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_fullStr | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_full_unstemmed | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_short | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs |
| title_sort | новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах au–n-gaas |
| topic | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet | Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 |
| work_keys_str_mv | AT melebaevd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebaevagd novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹûv novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT rudʹvû novyevozmožnostifotoélektričeskogometodaopredeleniâvysotybarʹeravstrukturahaungaas AT melebaevd novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT melebaevagd novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT rudʹûv novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT rudʹvû novímožlivostífotoelektričnogometodaviznačennâvisotibarêraustrukturahaungaas AT melebaevd newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT melebaevagd newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT rudʹûv newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas AT rudʹvû newpossibilitiesofphotoelectricmethodofdeterminationbarrierheightinstructuresaungaas |