Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |