Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs

• Опубліковано в: : Технология и конструирование в электронной аппаратуре
• Дата: 2007
• Автори: Мелебаев, Д., Мелебаева, Г.Д., Рудь, Ю.В., Рудь, В.Ю.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
• Теми: Функциональная микро- и наноэлектроника
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52810
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос.

Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....