Buchumschlag

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂

Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности.

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Datum:	2007
ISSN:	2225-5818
Hauptverfasser:	Катеринчук, В.Н., Ковалюк, М.З., Литвин, О.С.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52812
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, О.С. Литвин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 41-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
von: Назарько, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
von: Габа, В.М.
Veröffentlicht: (2009)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2011)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Гаркавенко, А.С.
Veröffentlicht: (2012)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Сидор, О.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
von: Кабаций, В.Н.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
von: Велещук, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование кремниевых диффузионных резисторов при протекании импульса тока большой плотности
von: Кушниренко, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оптический аттенюатор
von: Докторович, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
von: Бутенко, В.К., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
von: Рахматов, А.З., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
von: Добровольский, Ю.Г.
Veröffentlicht: (2006)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Джафарова, Э.А.
Veröffentlicht: (2006)

Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
von: Перевертайло, В.Л.
Veröffentlicht: (2011)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
von: Кудрик, Я.Я.
Veröffentlicht: (2009)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Байдуллаева, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
von: Мелебаев, Д., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
von: Семенов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)