Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
|---|---|
| Datum: | 2007 |
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52813 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-52813 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. 2014-01-07T18:58:06Z 2014-01-07T18:58:06Z 2007 Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52813 Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм. ru Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Технология и конструирование в электронной аппаратуре Функциональная микро- и наноэлектроника Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов Формування прозорих омічних контактів до р-GaN для світловипромінюючих діодів Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light emitting diodes Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| spellingShingle |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. Функциональная микро- и наноэлектроника |
| title_short |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_full |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_fullStr |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_full_unstemmed |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов |
| title_sort |
формирование прозрачных омических контактов к р-gan для светоизлучающих диодов |
| author |
Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. |
| author_facet |
Босый, В.И. Данилов, Н.Г. Кохан, В.П. Новицкий, В.А. Семашко, Е.М. Ткаченко, В.В. Шпоняк, Т.А. |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| publishDate |
2007 |
| language |
Russian |
| container_title |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Формування прозорих омічних контактів до р-GaN для світловипромінюючих діодів Formation of transparent ohmic contacts to p-GaN for light emitting diodes |
| description |
Получены омические контакты к p-GaN с удельным контактным сопротивлением (1...2)x10⁻³ Ом см² и коэффициентом прозрачности 78% на длине волны 460 нм.
|
| issn |
2225-5818 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/52813 |
| citation_txt |
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов / В.И. Босый, Н.Г. Данилов, В.П. Кохан, В.А. Новицкий, Е.М. Семашко, В.В. Ткаченко, Т.А. Шпоняк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 43-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT bosyivi formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT danilovng formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT kohanvp formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT novickiiva formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT semaškoem formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT tkačenkovv formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT šponâkta formirovanieprozračnyhomičeskihkontaktovkrgandlâsvetoizlučaûŝihdiodov AT bosyivi formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT danilovng formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT kohanvp formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT novickiiva formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT semaškoem formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT tkačenkovv formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT šponâkta formuvannâprozorihomíčnihkontaktívdorgandlâsvítlovipromínûûčihdíodív AT bosyivi formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT danilovng formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT kohanvp formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT novickiiva formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT semaškoem formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT tkačenkovv formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes AT šponâkta formationoftransparentohmiccontactstopganforlightemittingdiodes |
| first_indexed |
2025-12-07T17:39:08Z |
| last_indexed |
2025-12-07T17:39:08Z |
| _version_ |
1850872061999710208 |